各有关单位：
国家自然科学基金委近日发布了“芯片亚纳米级制造前沿探索”、“复杂恶劣条件下水电工程智能建设新理论新方法”、“集成电路关键材料前沿探索”指南引导类原创探索计划项目指南，具体通知如下。
一、芯片亚纳米级制造前沿探索
本项目围绕未来芯片制造面临的共性基础科学问题，旨在通过揭示表界面亚纳米级尺度的定域、定量、定势调控机制，建立亚纳米级精度表面与结构的可控加工方法，为发展原子级制造开展先导性探索，支撑新一代芯片制造关键工艺和装备能力的升级换代。资助方向为：
1.芯片制造过程中的亚纳米级去除新原理与新方法。
2.芯片先进制程中的三维亚纳米级结构构筑新原理与新方法。
3.第四代半导体材料的亚纳米级制造新原理。
4.芯片亚纳米级制造过程中的缺陷检测与修复。
本原创项目资助期限为3年，申请书中研究期限应填写“2024年1月1日－2026年12月31日”。计划资助4-5项，平均资助强度200万/项。
申请程序含预申请和正式申请，预申请提交时间为2023年11月24日－11月26日16:00时。
具体详情参见基金委网站：
https://www.nsfc.gov.cn/publish/portal0/tab434/info90822.htm
二、复杂恶劣条件下水电工程智能建设新理论新方法
聚焦复杂恶劣条件下巨型水电工程建设难点和挑战，在超深厚覆盖层堆石坝面板混凝土浇筑振捣质量控制、面板韧性与结构性态演化、深埋超大规模地下厂房洞室群开挖钻爆等方面，开展智能感知、精准分析模拟、智能馈控研究，建立水电工程智能建设创新理论与方法。资助方向为：
1.复杂恶劣条件下堆石坝面板混凝土振捣探测智能感知。
2.超深厚覆盖层堆石坝混凝土面板韧性时变分析。
3.深埋超大规模地下厂房洞室群复杂岩体智能钻爆。
本原创项目资助期限为3年，申请书中研究期限应填写“2024年1月1日－2026年12月31日”。计划资助3项，平均资助强度200万元/项。预申请提交时间为2023年11月24日－11月26日16:00时。
具体详情参见基金委网站：
https://www.nsfc.gov.cn/publish/portal0/tab434/info90823.htm
三、集成电路关键材料前沿探索
本项目面向集成电路用关键材料，具体科学目标如下：（1）聚焦光刻胶、柔性集成电路载板等高分子材料的结构设计、固化机制及复合材料界面微结构演变与失效机理，实现关键材料的理论预测、精准合成与技术突破；（2）针对集成电路尺寸微缩瓶颈与挑战，发展低功耗、高集成度器件应用所需的新型非硅CMOS沟道材料、晶体栅介质材料、高效电光调制系数材料和三维堆叠铁电存储阵列材料；（3）针对集成电路极限制程封装的微凸点高质量制备和高密度互连需求，发展晶圆级微凸点互连材料，实现封装电接触材料的精准构筑。资助方向为：
1.极紫外高分子光刻胶。
2.本征型层间互连封装光刻胶。
3.集成电路用高分子复合材料界面微结构演变与失效机理研究。
4.柔性集成电路载板的材料设计与性能调控。
5.面向非硅CMOS器件的新型沟道材料。
6.面向后摩尔时代低能耗器件的晶体栅介质材料。
7.面向高集成度电光调制器的纳米光子材料。
8.面向高密度三维堆叠存储阵列应用的铁电材料。
9.晶圆级Sn-Ag微凸点互连材料。
10.极限制程封装电接触材料精准构筑及电子结构调制。
本原创项目资助期限为3年，申请书中研究期限应填写“2024年1月1日—2026年12月31日”。计划资助8-10项，平均资助强度200万元/项。预申请提交时间为2023年11月24日－11月26日16:00时。
具体详情参见基金委网站：
https://www.nsfc.gov.cn/publish/portal0/tab434/info90825.htm
申请人同年只能申请1项原创项目（含预申请）。原创项目从预申请开始直到自然科学基金委做出资助与否决定之前，不计入申请和承担总数范围，获资助后计入申请和承担总数范围。
项目负责人对申请书内容的真实性负责，并于项目申报截止时间前提交项目申报材料，请有意申报的老师认真阅读项目指南，根据要求在规定的时间内上报有关材料。
联系人：张文君 李双双
Email: asdkyc@126.com
联系电话：5910119
科研处
2023年11月20日